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元器件采购网 > S-426页 > FET - 阵列SI4908DY-T1-GE3

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SI4908DY-T1-GE3

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) Vishay Siliconix 168 閻絻鐦介敍锟�0755-83217923
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SI4908DY-T1-GE3参数
产品类别:分离式半导体产品-FET - 阵列
说明:MOSFET N-CH DUAL 40V 5A 8-SOIC
包装数量:2500
包装形式:带卷 (TR)
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FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:标准
漏极至源极电压(Vdss):40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:60 毫欧 @ 4.1A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):2.2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:12nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:355pF @ 20V
功率 - 最大:2.75W
安装类型:表面贴装

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